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IBT技术是一种用于制备薄膜半导体器件的技术,它利用离子束轰击玻璃作为衬底,将 ITO薄膜沉积到玻璃表面上。IBT技术可以在较低的温度下制备出高质量的低温 ITO薄膜,从而获得高透明、低电阻、高载流子迁移率等优点。
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