主要成分是90%的In2O3和10% 的SnO2 ITO导电膜是氧化铟锡膜

氧化铟锡膜是一种透明无色的薄膜状氧化铟锡，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。它在薄膜状时，为透明无色。在块状态时，它呈黄偏灰色。

氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜厚度对导电性的影响很大，因此需要在制备过程中进行控制。

ITO导电膜导电原理，ITO导电膜是氧化铟锡膜，主要成分是90%的In2O3和10% 的SnO2，其晶体结构是立方铁锰矿结构，是一种可直接跃迁宽禁带的半导体材料。ITO导电膜主要成分In2O3在形成过程中没有构成理想的化学配比结构，结晶结构中缺少氧原子，因此存在过剩的自由电子，于是ITO膜具备了一定的导电性。

如何提升ITO导电膜导电性能，如果想要提高ITO膜的导电性能，可利用高价的阳离子如Sn掺杂在In2O3晶格中替代In^3+的位置，那么自由导电电子的浓度随之增加，进而提升氧化铟的导电性，ITO膜的导电性能增强。需要注意的是，在ITO膜层中，Sn通常以Sn^2+或Sn^4+的形式存在，由于In在In2O3中是正三价，Sn^4+的存在创造一个电子导带，而Sn^2+的存在则会降低导带中的电子密度。

在不同的配比下,采用相分离的技术,将柔性ITO导电薄膜、单组份紫外光学固化胶NOA65、联苯氰胺向列液晶混合物E7,制备成PDLC光开关的过程和方法进行了阐述,给出电光特性的测试结果和分析,得到更佳配比的阈值电压为12.6 V,透过率为87.6%,对比度为71.8。